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     眾所周知，高質(zhì)量層狀垂直異質(zhì)結的制備，通常需要利用超高真空分子束外延生長(cháng)等手段。然而，此類(lèi)制備方法對外延材料的基底晶格匹配等要求較高。范徳華堆垛方法是近年來(lái)興起的凝聚態(tài)物理研究前沿之一，其利用層狀材料的范徳華結合力，將不同的二維、準二維材料人工堆垛成為任意異質(zhì)結構，可以大大降低受基底材料的局限。該方法一經(jīng)發(fā)明，立刻在凝聚態(tài)物理領(lǐng)域引發(fā)了全球范圍的研究熱潮。目前，該體系已經(jīng)在介觀(guān)尺度下實(shí)現了由超高質(zhì)量界面引起的整數與分數量子霍爾效應、電子光學(xué)等新奇物理特性。

    金屬所磁性材料與磁學(xué)研究部研究人員發(fā)明了倒置范徳華堆垛的新方法（圖2）。解決了傳統范徳華垂直異質(zhì)結構難以獲得高質(zhì)量超薄頂層的結構性難題，目前已申請中國專(zhuān)利一項?；谏鲜龅怪棉D印范徳華堆垛的制備方法，金屬所研究人員以少數層二硫化鉬（MoS₂）為研究體系，利用超?。ㄉ贁翟訉樱┑牧降穑╤-BN）作為范德瓦爾斯異質(zhì)結的隧穿層，系統開(kāi)展了隧穿晶體管器件研究。研究表明，通過(guò)在金屬（Au）和半導體（MoS₂）界面之間引入隧穿h-BN，可有效降低界面處的肖脫基勢壘，從而實(shí)現通過(guò)局域石墨背柵的對通道MoS₂費米能級的精確靜電調控（圖3）。

    該項研究工作由沈陽(yáng)材料科學(xué)國家（聯(lián)合）實(shí)驗室磁學(xué)與磁性材料研究部張志東研究員與韓拯研究員主持，國內外多家科研單位共同合作完成。金屬所先進(jìn)炭材料研究部孫東明研究員在微納器件制備方面提供支持，半導體所姜向偉研究員小組進(jìn)行了第一性原理計算模擬，北京大學(xué)量子中心陳劍豪教授小組提供了電子束曝光（EBL）加工支持，太原理工大學(xué)郭俊杰教授研究組進(jìn)行了聚焦離子束（FIB）制備與透射電鏡(TEM）表征，法國奈爾研究所Vincent Bouchiat教授小組提供了變頻探針測試支持，長(cháng)沙理工大學(xué)賈傳坤教授參與了電學(xué)測量與分析工作。金屬所博士研究生李小茜為論文的第一作者，半導體所范志強博士為第二作者（第一理論計算作者）。金屬所韓拯研究員、孫東明研究員、半導體所姜向偉研究員為本文的共同通訊作者。